无掩膜光刻是一类不需要实体物理掩模版，依靠数字信号直接生成曝光图形完成光刻加工的技术，数字投影式无掩膜光刻系统主要采用数字微镜技术实现高速图形生成，计算机把设计好的图样转化为数字信号，控制微镜阵列的偏转状态，调制紫外光束，把图形直接投影到涂有光刻胶的基底表面完成曝光，省去掩膜制版的流程，对于样品需要频繁修改迭代的原型研发场景比较友好。杭州玉之泉精密仪器有限公司推出数字投影无掩膜光刻系统UVD，属于桌面紧凑型国产设备，面向MEMS、光子器件、量子计算芯片、传感器的快速原型开发场景使用。
传统光刻工艺，每更换一套加工图形，就需要重新制作一块掩膜版，制版会消耗时间与经费，在科研迭代阶段，样品图样经常修改，反复制版会拉长项目周期。无掩膜光刻改变这一模式，图形修改只需要在计算机软件内部完成设计修改，导入设备即可开展新一轮曝光，很适合探索性实验、小批量原型试制。这套无掩膜光刻系统配置多组不同倍率物镜，切换物镜会改变加工的最小特征尺寸，同时写入速度也会随之变化，科研人员可以结合项目对于分辨率、加工效率的取舍，选择适配的物镜档位开展实验工作。
无掩膜光刻系统支持多种常见的设计文件格式，JPG、TIFF、GDS、DXF都可以导入设备，除了导入提前绘制好的版图，系统还具备在线绘制加工模式，操作人员可以在样品实时观测画面之上直接绘制图形，即时启动曝光加工，给即兴验证一些简易图样带来便利。系统还提供脚本化刻写编程接口，有编程基础的使用者可以编写脚本，实现自定义序列的加工流程，满足部分特殊实验的自动化需求。设备搭载实时自动对焦模块，拥有较大对焦范围，配合视觉对位，可以实现多层结构的套刻加工，处理需要多次曝光叠加的器件样品。
设备光源可选365nm、385nm、405nm紫外波段，也可以按需扩展双波长光源。可接纳的基板最大尺寸可以达到8寸，基板厚度区间覆盖0.1毫米到8毫米，最大曝光面积可以达到190乘190毫米。整套系统具备1024级灰度等级，灰度曝光可以用来制作部分二点五维浮雕结构，不只局限单纯的二元明暗图形，拓展无掩膜光刻可以实现的结构类型。
开展无掩膜光刻的实验室，需要配置黄光照明环境，万级洁净等级，控制温湿度，温度维持21摄氏度左右，湿度维持50‑70%区间，防止光刻胶提前感光，同时减少环境颗粒对曝光结果带来的缺陷。电气条件按照设备要求配置，部分夹具功能会用到压缩空气，场地布置阶段确认气源条件。日常使用维护时，要保护数字微镜组件，避免光刻胶挥发物污染光学部件，定期开展对焦精度、套刻精度校验，检查运动平台运行状态。基片在上机之前，需要完成清洗，保证表面洁净，光刻胶旋涂、前烘工序按照工艺规范执行，减少基底杂质带来的图形缺陷。无掩膜光刻把数字图形直接转化为光刻微结构，在前沿器件原型验证阶段发挥作用，很多MEMS、光子芯片的前期原理验证，都可以借助这套工艺完成样品制备。