一、双腔室高真空等离子体ALD设备核心参数：
价格区间：100万-200万
产地类别：国产原子层沉积系统（ALD）
衬底尺寸：Ф200mm
工艺温度：RT-500±1ºC
前驱体数：最大可包括3组等离子体反应气体4组液态或固态反应前驱体
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm
均匀性：均一性<1%
二、双腔室高真空等离子体ALD设备应用原理分析：
原子层沉积（Atomiclayerdeposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。
等离子体增强原子层沉积(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。
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